Тэги
On-Line сервисы
Новости
...
Место для рекламы
Статистика
По возникшим вопросам обращайтесь Email: admin@101gig.ru
Главная » 2017 Март 16 » Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
20:43 Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем | |
 Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем — В книге на основе современных физических представлений рассмотрены вопросы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Значительное внимание уделено влиянию различных технологических факторов и условий применения на надежность. Подробно рассмотрены дефекты, возникающие в исходных материалах, и механизмы отказов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Изложены методы обеспечения их надежной работы в различной радиоэлектронной аппаратуре. Книга рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся производством полупроводниковых приборов и интегральных микросхем и их применением. Она будет полезна студентам старших курсов соответствующих специальностей. Название: Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем Автор: Чернышев А. А. Издательство: Радио и связь Год: 1988 Страниц: 256 Формат: DJVU Размер: 7,83 Мб Качество: Отличное Содержание: Предисловие Список сокращений Список условных обозначений физических величин Введение Глава 1. ОСНОВЫ ТЕОРИИ НАДЕЖНОСТИ 1.1. Термины и определения в области надежности 1.2. Показатели надежности 1.3. Математическое представление показателей надежности 1.4. Некоторые законы распределения случайных величин, используемые в теории надежности Глава 2. ВИДЫ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИИ и ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ 2.1. Основные этапы жизненного цикла приборов и их связь с внешними факторами 2.2. Факторы внешних воздействий 2.3. Факторы, связанные с научно-техническим и обслуживающим персоналом 2.4. Конструктивно-технологические факторы Глава 3. МЕХАНИЧЕСКИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ 3.1. Общая характеристика механических воздействий на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы в составе аппаратуры 3.2. Реакция конструктивных элементов приборов на механические нагрузки 3.3. Влияние вибрационных воздействий. Резонансные характеристики 3.4. Ударные воздействия и их характеристики 3.5. Механические модели конструктивных элементов приборов и резонансные характеристики Глава 4. КЛИМАТИЧЕСКИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ И АГРЕССИВНЫЕ СРЕДЫ 4.1. Общая характеристика климатических факторов и климатических зон 4.2. Воздействие пониженных и повышенных температур 4.3. Воздействие влажности 4.4. Воздействие биологической среды и пылевых взвесей в атмосфере 4.5. Воздействие пониженного и повышенного давления Глава 5. РАДИАЦИОННЫЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ 5.1. Общая характеристика различных видов радиации 5.2. Воздействие проникающей радиации на электрофизические параметры исходных материалов 5.3. Воздействие излучения на параметры полупроводниковых приборов и интегральных микросхем Глава 6 ВОЗДЕЙСТВИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ 6.1. Общая характеристика технологического процесса изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 6.2. Обработка исходного полупроводникового материала 6.3. Получение и обработка полупроводниковых пластин 6.4. Очистка поверхности пластин от загрязнений 6.5. Эпитаксиальное наращивание монокристаллических слоев 6.6. Защитные и маскирующие окисные слои на кремнии 6.7. Фотолитография 6.8. Дефекты в приборах, возникающие при формировании активных областей (диффузия, имплантация) 6.9. Металлизация и контакты 6.10. Разделение пластин на кристаллы 6.11. Сборка приборов и герметизация Глава 7. ВОЗДЕЙСТВИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ И ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ ФАКТОРОВ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ И ИСПОЛЬЗОВАНИИ АППАРАТУРЫ 7.1. Входной контроль полупроводниковых приборов и интегральных микросхем при изготовлении аппаратуры 7.2. Подготовка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем к монтажу в аппаратуре и особенности монтажа 7.3. Расположение полупроводниковых приборов и интегральных микро схем в блоках аппаратуры 7.4. Воздействие статического электричества на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы в процессе изготовления, монтажа и эксплуатации в аппаратуре 7.5. Воздействие тепловых и электрических режимов на приборы в составе аппаратуры Глава 8. ВИДЫ И МЕХАНИЗМЫ ОТКАЗОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 8.1. Классификация отказов 8.2. Понятие механизма отказов 8.3. Механизмы отказов металлизации в результате электромиграции 8.4. Механизмы коррозии и окисления металлизации 8.5. Механизмы отказов контактов 8.6. Некоторые механизмы отказов в межэлементных соединениях на основе поликремния 8.7. Механизмы отказов планарных структур 8.8. Механизм пробоя в тонком окисле и эффект горячих носителей 8.9. Механизмы отказов в результате действия ударных и вибрационных нагрузок 8.10. Некоторые механизмы отказов при радиационных воздействиях Глава 9. ВИДЫ ИСПЫТАНИИ И СИСТЕМА ИСПЫТАНИИ НА НАДЕЖНОСТЬ 9.1. Основные принципы контроля качества приборов 9.2. Классификация испытаний 9.3. Планирование испытаний на надежность. Оперативная характеристика 9.4. Неразрушающие испытания 9.5. Контроль качества полупроводниковых приборов и интегральных микросхем по шумовым характеристикам 9.6. Контроль полупроводниковых структур по рекомбинационному излучению 9.7. Контроль тепловых параметров с использованием переходных тепловых характеристик 9.8. Ускоренные испытания 9.9. Применение жидких кристаллов для контроля приборов Глава 10. ПРОГНОЗИРОВАНИЕ НАДЕЖНОСТИ ПРИБОРОВ И ДИАГНОСТИКА 10.1. Понятие о методе распознавания образов 10.2. Прогнозирование надежности по виду вольт-амперных характеристик 10.3. Прогнозирование надежности по m-характеристикам 10.4. Диагностика интегральных микросхем с помощью тестовых структур Глава 11. ОРГАНИЗАЦИОННЫЕ ОСОБЕННОСТИ ОБЕСПЕЧЕНИЯ НАДЕЖНОЙ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ В АППАРАТУРЕ 11.1. Основные принципы обеспечения надежной работы полупроводниковых приборов и интегральных микросхем в аппаратуре 11.2. Система обеспечения надежной работы полупроводниковых приборов и интегральных микросхем в аппаратуре 11.3. Организация сбора данных по надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 11.4. Организация анализа отказов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 11.5. Контроль правильности применения полупроводниковых приборов и интегральных микросхем в аппаратуре 11.6. Некоторые аспекты организации контроля параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 11.7. Пути повышения отказоустойчивости интегральных микросхем Заключение Список литературы Скачать Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Скачать с dfiles.ru Скачать с uploadboy.me Скачать с katfile.com Скачать с suprafiles.co Скачать с file-upload.com | |
|
| |
Инструкция как бесплатно скачать с TURBOBIT.net, DepositFiles.com, LetItBit.net, FileSonic.com, ShareFlare.net NEW!!! Vip-File.com
Если одна или несколько ссылок на файл не работает напишите комментарий либо сообщите автору новости любым удобным способом.
Если одна или несколько ссылок на файл не работает напишите комментарий либо сообщите автору новости любым удобным способом.
| Всего комментариев: 0 | |
